QL78J6S-A/B/C は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
50ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、業用センサー用等に最適なLDです。

– Visible Light Output : λp = 780 nm
– Optical Power Output : 50mW CW
– Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
– Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

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波長： 780nm
出力： 50ｍW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package : TO-18 (5.6mmφ)