QL63H5S-A/B/C-R1は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長635nmのInGaAIPレーザ半導体です.
20ｍWの出力を有しオプティカルレベラーとかオプティカルモジュールのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output : λp = 639 nm、
Optical Power Output ： 20mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
TM mode oscillation, Single mode.
Operating Temperature：-10 ~ +50℃

• Application
– Optical Leveler

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波長：639 nm

出力：20mW CW

使用環境温度：-10 ~ +50℃

Package Type :  TO-18(5.6mm Φ)