QL65D7SX 波長 650nm 
QL65D7SX 波長 650nm
Characteristic
特徴
QL65D7S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
5mWの出力を有しバーコードリーダーような光エレクトロニクスディバイス用に
最適なLDです。Overview
概要
Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output : 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.
Operating Temperature : −10 ~ +70 ℃
詳しい資料はこちらSpecification
仕様
波長:650 nm
出力:5mW CW
使用環境温度:-10 ~ + 70℃
Package Type: TO-18(5.6mm φ)
Application
アプリケーション
- レーザーポインター、オプティカルレベラー, バーコードリーダー、