QL65D7SX-L 波長 650nm

QL65D7SX-L 波長 650nm

Characteristic

特徴

QL65D7S-A/B/C-Lは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
5mWの出力を有し低電流駆動によりレーザーポインタ、バーコードリーダー、
DVD プレーヤー、DVD ROMのような光エレクトロニクスディバイス用に最適な
LDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output : 5mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.
Operating Temperature : −10 ~ +70 ℃


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長:650 nm

出力:5mW CW

使用環境温度:-10 ~ +70℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)