QL65E53A/Bは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
7ｍWの出力を有し低電流駆動によりレーザーポインタ、バーコードリーダー、
メカニカルデバイスのような光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ： 7mW CW、
Package Type :TO-CAN(3.3mmφ)
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.
Operating Temperature : -10 ~ +50 ℃

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波長：650 nm

出力：７ｍW CW

使用環境温度：-10 ~ +50℃

Package Type : TO-CAN (3.3mmφ)