QL65F73X 波長 650nm

QL65F73X 波長 650nm

Characteristic

特徴

QL65F73A/Bは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です。
10ｍWの出力を有し医療用デバイス、センサー、照準器のような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package TO-CAN(3.3mm φ with window glass ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ +70℃


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Specification

仕様

波長：650nm

出力：10mW CW

使用環境温度：-10  ~ +70℃

Package type :　TO-CAN(3.3㎜ φ, with window glass)

Application

アプリケーション

医療用デバイス、センサー、照準器等に最適です。