QL65I7SX-H 波長 650nm

QL65I7SX-H 波長 650nm

Characteristic

特徴

QL65I7S-A/B/C-Hは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
35ｍWの出力を有しDVD-RAM, 工業用センサー のような
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 658 nm(Typ.)、
Optical Power Output ：35mW CW、
Package TO-18 (5.6mm φ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +70℃


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Specification

仕様

波長：658 nm

出力：35mW CW

使用環境温度：-10 ~ +70℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)

Application

アプリケーション

工業用センサー、DVD-RAM等に最適です。