QL65J7SX 波長 650nm

QL65J7SX 波長 650nm

Characteristic

特徴

QL65J7S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です。
50ｍWの出力を有しDVD-R/RW, オプティカルモジュール など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 660 nm(Typ.)
Optical Power Output ：50mW CW
Package TO-18 (5.6mm φ)
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

Operating Temperature : -10 ~ +75℃


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Specification

仕様

波長：660nm

出力：50mW CW

使用環境温度：-10 ~ +75℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)

 

Application

アプリケーション

DVD R/RW, オプティカルモジュール等に最適です。