QL68G5HF-L4 波長 680nm

QL68G5HF-L4 波長 680nm

Characteristic

特徴

QL68G5HF-L4は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長680nmのAlGaInPレーザ半導体です、
12mWの出力を有し工業用センサー、工業用オプティカルモジュール等など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 680 nm、
Optical Power Output :12mW CW、
Package Dual Beam : 2 Beams, 25μm pitch(beam to beam),

Type :TO-5(9.0mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +50℃


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Specification

仕様

波長:680 nm

出力:12mW CW

Dual Beam : 2 Beams, 25um pitch (beam to beam)

使用環境温度:-10 ~ +50℃

Package Type : TO-5 (9.0mmφ)

 

Application

アプリケーション

Laser Printer, Digital Copiers, Industrial optical module等に最適です。