QL78D6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
５ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃

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波長：780 nm

出力：5mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mmΦ)