[QL78E6HG-Q] 波長 780nm

[QL78E6HG-Q] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78E6HG-Qは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
６ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、
工業用センサー用等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：6mW CW、
Number of Beams: 4
Normal Beam to Beam Distance : 14m pitch(Beam to Beam),
Package Type :TO-5(9.0 mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -40 ~ +60℃


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Specification

仕様

波長：780 nm

出力：6mW CW

Number of Beams : 4

Normal Beam to Beam Separateion : 14um pitch(beam to beam distance)

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-5 (9.0 mm φ)

 

 

Application

アプリケーション

レーザープリンター、ディジタルコピー機、工業用オプティカルモジュール等に最適です。