[QL78H6SX] 波長 780nm

[QL78H6SX] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78H6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
20ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、業用センサー用等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：20mW CW、
Package : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 780nm
出力： 20ｍW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Packagge : TO-18 (5.6mmφ)