[QL78I6SX-L] 波長 780nm

[QL78I6SX-L] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78I6S-A/B/C-Lは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
25ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、業用センサー用等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：25mW CW、
Package : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長： 780nm
出力： 25ｍW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package : TO-18 (5.6mmφ)

Application

アプリケーション

レーザースキャナー、工業用オプティカルモジュール.