[QL82R6SX] 波長 820nm

[QL82R6SX] 波長 820nm

Characteristic

特徴

QL82R6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長824nmの量子井戸構造を有したAlGaAsレーザ半導体です.
200mWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、
工業用センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 824 nm、
Optical Power Output ：200mW CW、
Package : TO-18(5.6mm φ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 820nm
出力： 200mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.