[QL84S6SL] 波長 845nm

[QL84S6SL] 波長 845nm

Characteristic

特徴

QL84S6SLは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長845nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で450mWの出力を有し
ジェスチャー認識（gesture recognition）3D sensing等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 845 nm、
Optical Power Output ： 450mW CW、
Package type : TO-18(5.6mm φ)


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Specification

仕様

波長： 845nm
出力： 450mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

ジェスチャー認識（gesture recognition）モーションセンサー、,3D sensing