[QL85J6SX-L] 波長： 850nm

[QL85J6SX-L] 波長： 850nm

Characteristic

特徴

QL85J6S-A/B/C-Lは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で40mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 850 nm、
Optical Power Output ：40mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


Specification

仕様

波長： 850nm
出力： 40mW

使用環境温度：-32 ~ +50℃
Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.