[QL85R6SX] 波長：850nm

[QL85R6SX] 波長：850nm

Characteristic

特徴

QL85R6S-A/B/C は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で200mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 850 nm、
Optical Power Output 200mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 850nm

出力： 200mW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

動作認識センサー、工業用オプティカルモジュール.