QL63D43X 波長 635nm 5mW 40℃

QL63D43X 波長 635nm 5mW 40℃

Characteristic

特徴

QL63D43S-A/B/Dは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長635nmのInGaAIPレーザ半導体です。
５ｍWの出力を有しオプティカルレベラーとかオプティカルモジュールのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 635 nm
Optical Power Output ： 5mW CW
Package Type : TO-18(5.6mmφ)
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
Operating Temperature : -10 ~ +40℃

• Application
– Optical Leveler
– Laser Module
– Bar Code Reader


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長：635nm

出力：5mW CW

使用環境温度：-10 ~ +40℃

Package Type : TO-18(5.6mm φ)

Application

アプリケーション

レーザーポインター、バーコードリーダー、レーザーモジュール などに最適です。