QL78F6GI-O1 は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有しレーザープリンター、デエジタルコピー機、工業用オプティカルモジュール等に最適なLDです。

– Visible Light Output : p = 780 nm
– Optical Power Output : 10mW CW
– Number of Beams : 8 Beams
– Nominal Beam to Beam Separation : 14um pitch (beam to beam distance)
– Package Type : TO-100 (10mm)
– Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

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波長： 780nm
出力： 10ｍW　CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Number of Beams : 8 Beams
Nominal Beam to Beam Separation : 14um pitch (beam to beam distance)
Package Type : TO-100 (10mm φ)