QL65F6SX 波長：650 nm

QL65F6SX 波長：650 nm

Overview

概要

QL65F6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
10ｍWの出力を有し低電流駆動によりオプティカルピックアップ、レーザモジュール、
バーコードリーダーのような光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。


Specification

仕様

波長：650 nm

出力：10mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mm φ)

Application

アプリケーション

Optical Pick-up, Laser Module, Bar Code Reader.