QL63G5SX R2 波長 635nm 15mW 50℃

QL63G5SX R2 波長 635nm 15mW 50℃

Characteristic

特徴

QL63G5S-A/B/C-R2は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長635nmのInGaAIPレーザ半導体です.
15mWの出力を有しオプティカルレベラーとかオプティカルモジュールのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 638 nm、
Optical Power Output : 15mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
TM mode oscillation, Single mode.
Operating Temperature : -10 ~ +50℃

• Application
– Laser Leveler


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長:638 nm

出力:15mW CW

使用環境温度:-10 ~ +50℃

Package Type : TO-18(5.6mm Φ)

Application

アプリケーション

オプティカルレベラー、レーザーモジュール等