QL63G5SX R2 波長 635nm 15mW 50℃ 
QL63G5SX R2 波長 635nm 15mW 50℃
Characteristic
特徴
QL63G5S-A/B/C-R2は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長635nmのInGaAIPレーザ半導体です.
15mWの出力を有しオプティカルレベラーとかオプティカルモジュールのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。Overview
概要
Visible Light Output :λp = 638 nm、
Optical Power Output : 15mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
TM mode oscillation, Single mode.
Operating Temperature : -10 ~ +50℃• Application
– Laser Leveler
詳しい資料はこちらSpecification
仕様
波長:638 nm
出力:15mW CW
使用環境温度:-10 ~ +50℃
Package Type : TO-18(5.6mm Φ)
Application
アプリケーション
- オプティカルレベラー、レーザーモジュール等