QL65D5S-A/B/C-Nは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です。
5ｍWの出力を有しレーザーポインタとかバーコードリーダーような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ： 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ, without window glass) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.
Operating Temperature : −10 ~ +50℃

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波長：650 nm

出力：5mW CW

使用環境温度：-10 ~ +50℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ, without window glass)