QL65D6SX 波長 650nm

QL65D6SX 波長 650nm

Characteristic

特徴

QL65D6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
5mWの出力を有しバーコードリーダーような光エレクトロニクスディバイス用に
最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output : 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.
Operating Temperature :−10 ~ +60℃


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長:650 nm

出力:5mW CW

使用環境温度:-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)

 

 

 

Application

アプリケーション

レーザーポインター、オプティカルレベラー, バーコードリーダー、