QL65E5S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です
7ｍWの出力を有し低電流駆動によりレーザーポインタ、バーコードリーダーのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ： 7mW CW、
Package TO-18 (5.6mm φ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode
Operating Temperature : −10 ~ +50 °C

詳しい資料はこちら

波長：650 nm

出力：７ｍW CW

使用環境温度：-10 ~ +50℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)