QL65F5S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です
10ｍWの出力を有し低電流駆動によりオプティカルレベラー、レーザーポインタ、
バーコードリーダーのような光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。
Operating Temperature : -10 ~ +50℃

Visible Light Output :λp = 650 nm
Optical Power Output ：10mW CW
Package TO-18 (5.6mm φ)
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

Operating Temperature : -10 ~ +50℃

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波長：　650 nm

出力：10mW CW

使用環境温度 : -10 ~ +50℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)