QL65F6S-A/B/C-Lは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です.
10ｍWの出力を有し低電流駆動によりオプティカルピックアップ、レーザモジュール、
バーコードリーダーのような光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package TO-18 (5.6mm φ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃

波長 : 650 nm

出力：１０ｍW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)