QL65F7S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長650nmのInGaAIPレーザ半導体です。
10ｍWの出力を有し低電流駆動によりオプティカルピックアップ、バーコードリーダーのような
光エレクトロニクスディバイス用に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 650 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package TO-18 (5.6mm φ)、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ +70℃

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波長：650 nm

出力：10mW CW

使用環境温度：-10 ~ +70℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)