QL67D6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長670nmのInGaAIPレーザ半導体です。
5ｍWの出力を有しオプティカルレベラー、レーザーモジュル、バーコードリーダー など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 670 nm、
Optical Power Output ： 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ +60℃

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波長： 670 nm
出力： 5mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package Type : TO-18(5.6mmφ)