QL67D7SX 波長 670nm 
QL67D7SX 波長 670nm
Characteristic
特徴
QL67D7S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長670nmのIndex-Guided type InGaAIPレーザ半導体です。
5mWの出力を有しオプティカルレベラー、レーザーモジュル、バーコードリーダー など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。Overview
概要
Visible Light Output :λp = 670 nm、
Optical Power Output : 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ + 60℃
詳しい資料はこちらSpecification
仕様
波長:670 nm
出力:5mW CW
使用環境温度:-10 ~ +60℃
Package Type : TO-18 (5.6mm φ)
Application
アプリケーション
- オプティカルレベラー、レーザーモジュ-ル、バーコードリーダー等に最適です。