QL67D7SX 波長 670nm

QL67D7SX 波長 670nm

Characteristic

特徴

QL67D7S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長670nmのIndex-Guided type InGaAIPレーザ半導体です。
5mWの出力を有しオプティカルレベラー、レーザーモジュル、バーコードリーダー など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 670 nm、
Optical Power Output : 5mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ + 60℃


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長:670 nm

出力:5mW CW

使用環境温度:-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18 (5.6mm φ)

Application

アプリケーション

オプティカルレベラー、レーザーモジュ-ル、バーコードリーダー等に最適です。