QL67F6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長670nmのGain-Guided type InGaAIPレーザ半導体です。
10ｍWの出力を有しオプティカルレベラー、レーザーモジュル、バーコードリーダー など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 670 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mm φ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ +60℃

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波長：670 nm

出力：10mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type :  Package Type : TO-18 (5.6mm φ)