QL68F6SX-LS 波長 680nm

QL68F6SX-LS 波長 680nm

Characteristic

特徴

QL68F6S-A/B/C-LSは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長680nmのInGaAIPレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し低電流駆動によりLaser Scanning Unit など
光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 680 nm、
Optical Power Output ：9mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃


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Specification

仕様

波長：680nm

出力：9mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

Laser Scanning Unit等に最適です。