QL68i6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長0.68μmのAlGaAIPレーザ半導体です、
30ｍWの出力を有し工業用センサー、工業用レーザーモジュル等など
工業用光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 685 nm、
Optical Power Output ：30mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃

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波長：685 nm

出力：３０ｍW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mm φ)