QL68J6SX 波長 685nm

QL68J6SX 波長 685nm

Characteristic

特徴

QL68J6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長0.68μmのAlGaAIPレーザ半導体です、
50ｍWの出力を有し工業用センサー、工業用レーザーモジュル等など
工業用光エレクトロニクスディバイス用に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 685 nm、
Optical Power Output ：50mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃


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Specification

仕様

波長 : 685nm

出力: 50mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package type : TO-18 (5.6mm φ)

Application

アプリケーション

工業用, レーザーモジュル等に最適です。