[QL78C6SX-L] 波長 780nm

[QL78C6SX-L] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78C6S-A/B/C-Lは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
3ｍWの出力を有しレーザープリンター、工業用オプティカルモジュール、
工業用センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：3mW CW、
Package Type :TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode,
Operating Temperature : -10 ~ +60℃


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Specification

仕様

波長：780nm CW

出力：3mW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package : TO-18 (5.6mmφ)

Application

アプリケーション

レーザープリンター、工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に最適です。