QL78C7PBは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造され
多重量子井戸構造(Multi-Quantum well structure)を有した
波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、3ｍWの出力で
オプティカルピックアップ、センサーアプリケーション等に非常に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：3mW CW、
Package Type : Lead Frame 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode、
Operating Temperature : -10 ~ +70℃

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波長：780 nm

出力：3mW CW

使用環境温度：-10 ~ +70℃

Package Type : Lead Frame