QL78F6DF-1は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に非常に最適なLDです。

– Visible Light Output : λp = 780 nm
– Optical Power Output : 10mW CW
– Dual Beam : 14um pitch (beam to beam)
– Package Type : TO-18 (5.6mmφ)
– Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

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波長： 780nm CW
出力： 10ｍW

Dual Beam : 14um pitch (beam to beam)

使用環境温度：-10 ~ +60℃
TO-18 (5.6mmφ)