[QL78F8SX] 波長 780nm

[QL78F8SX] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78F8SAは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長： 780nm
出力： 10ｍW

使用環境温度：-40 ~ +85℃
Package Type : TO-18 (5.6mm φ)

Application

アプリケーション

レーザープリンター、ディジタルコピー機、工業用オプティカルモジュール、