[QL78F6HG-Q] 波長 780nm

Characteristic 特徴

QL78F6HG-Qは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview 概要

Visible Light Output :λp = 780 nm
Optical Power Output ：10mW CW

Number of Beams : 4 Beams

Nominal Beam to Beam Separation : 14um pitch (beam to beam distance)

Package Type：TO-5(9.0 mm φ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode

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Specification 仕様

波長： 780nm
出力： 10ｍW CW

Number of Beams : 4 Beams
Nominal Beam to Beam Separation : 14um pitch (beam to beam distance)

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package Type : TO-5 (9.0 mmφ)

Application アプリケーション

レーザープリンター、ディジタルコピー機、工業用オプティカルモジュール。