[QL78F6PA] 波長 780nm

[QL78F6PA] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78F6PAは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、工業用センサー用等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Package Type : Lead Frame 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 780nm CW
出力： 10ｍW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package Type : Lead Frame.

Application

アプリケーション

レーザープリンター、ディジタルコピー機、工業用オプティカルモジュール.