QL78F6SG-Qは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
10ｍWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、デエジタルコピー機、業用センサー用等に最適なLDです。

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output ：10mW CW、
Number of Beams : 4 Beams

Normal Beam to Beam Separation : 14μm pitch(Beam to Beam Distnce)
Package : TO-18(5.6mm φ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.

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波長： 780nm
出力： 10ｍW CW

Number of Beams : 4 Beams

Nominal Beam to Beam Separation : 14um pitch (beam to beam distance)

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package : TO-18 (5.6mm φ)