[QL78M8SX] 波長 780nm

[QL78M8SX] 波長 780nm

Characteristic

特徴

QL78M8S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長780nmのAlGaAsレーザ半導体です、
90mWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、業用センサー用等に最適な
LDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 780 nm、
Optical Power Output :90mW CW、
Package : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長: 780nm
出力: 90mW CW

使用環境温度:-10 ~ +80℃
Package : TO-18 (5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.