[QL80S4HD-Y] 波長 808nm

[QL80S4HD-Y] 波長 808nm

Characteristic

特徴

QL80S4HD-Yは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長808nmの量子井戸構造を有したレーザ半導体です.
500ｍWの出力を有し等オプトエレクトロニクスデバイス個体レーザpumping,
医療用機器に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 808 nm、
Optical Power Output ：500mW CW、
Package : TO-5(9.0mmφ) 、
Polarization : TM(electric Field Perpendicular to the Junciton Plane).


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Specification

仕様

波長： 808nm
出力：500ｍW

使用環境温度：-10 ~ +40℃
Package : TO-5 (9.0mmφ)

Application

アプリケーション

固体レーザー励起(solid state laser excitation), 医療用機器, マテリアルプロセス、計測器.