[QL80T4HD-Y] 波長 808nm

[QL80T4HD-Y] 波長 808nm

Characteristic

特徴

QL80T4HD-Yは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長808nmの

量子井戸構造を有したレーザ半導体です.
１Wの出力を有しオプトエレクトロニクスデバイス, 個体レーザpumping,
医療用機器に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 808 nm、
Optical Power Output ：１W CW、
Package : TO-5(9.0mm φ) 、
Polarization : TM(electric Field Perpendicular to the Junciton Plane)


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Specification

仕様

波長： 808nm
出力：１W

使用環境温度：-10 ~ +40℃
Package : TO-5 (9.0mm φ)

Application

アプリケーション

動作認識センサー、工業用オプティカルモジュール.