[QL83H6SX] 波長 830nm

[QL83H6SX] 波長 830nm

Characteristic

特徴

QL83H6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された
波長830nmの量子井戸構造を有したGaAsレーザ半導体です,
20mWの出力を有しメディカルアプリケーション等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 830 nm、
Optical Power Output ： 20mW CW、
Package : TO-18(5.6mm φ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


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Specification

仕様

波長： 830nm
出力： 20mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package : TO-18(5.6mm φ)

Application

アプリケーション

メディカルアプリケーション、