[QL83O6SX] 波長 830nm

[QL83O6SX] 波長 830nm

Characteristic

特徴

QL83O6S-A/B/Cは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された
波長830nmの量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体です、
100mWの出力を有し工業用オプティカルモジュール、センサー等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 830 nm、
Optical Power Output ： 100mW CW、
Package Type : TO-18(5.8mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 830nm
出力： 100mW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール、