[QL83R6SX] 波長 830nm

[QL83R6SX] 波長 830nm

Characteristic

特徴

QL83R6S-A/B/Cは波長830nmの量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で

200mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサーアプリケーション等に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 830 nm、
Optical Power Output ： 200mW CW、
Package type : TO-18(5.9mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 830nm
出力： 200mW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

動作認識センサー、工業用オプティカルモジュール.