[QL85D6SX] 波長 850nm

[QL85D6SX] 波長 850nm

Characteristic

特徴

QL85D6SAは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で５mWの出力を
有し工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :　λp = 850 nm、
Optical Power Output ： 5mW CW、
Package type : TO-18(Φ 5.6mm) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


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Specification

仕様

波長： 850nm
出力： 5mW

使用環境温度：-10~+60℃
Package type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.