[QL85F6SX] 波長 850nm

[QL85F6SX] 波長 850nm

Characteristic

特徴

QL85F6SA は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で10mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 850 nm、
Optical Power Output ： 10mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


詳しい資料はこちらPDF

Specification

仕様

波長： 850nm

出力： 10mW CW

使用環境温度：-10 ~ +60℃

Package Type : TO-18(5.6mmφ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール