[QL85I6SX] 波長： 850nm

[QL85I6SX] 波長： 850nm

Characteristic

特徴

QL85I6SAは有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で20mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

Visible Light Output :λp = 850 nm、
Optical Power Output ：30mW CW、
Package Type : TO-18(5.6mmφ) 、
Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode.


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Specification

仕様

波長： 850nm
出力： 30mW

使用環境温度：-10 ~ +60℃
Package Type : TO-18(5.6 mm φ)

Application

アプリケーション

センサー、工業用オプティカルモジュール.