[QL85R63X] 波長：820nm

[QL85R63X] 波長：820nm

Characteristic

特徴

QL85R6X-A/B/C は有機金属気相成長法(MOCVD)により製造された波長850nmの
量子井戸構造を有したAIGaAsレーザ半導体で200mWの出力を有し
工業用オプティカルモジュール、センサー用等に非常に最適なLDです。

Overview

概要

– Visible Light Output : λp = 820 nm
– Optical Power Output : 200mW CW
– Package Type : TO-33 (3.3mmφ)
– Built-in Photo Diode for Monitoring Laser Diode


Specification

仕様

QL85R63A,B,D,E Ver 2

波長： 820nm
出力： 200mW

使用環境温度：-10~+60℃
Package Type : TO-33(3.3mmφ)

Application

アプリケーション

モーション認識センサー、工業用オプティカルモジュール。